Apr 03, 2025 Legg igjen en beskjed

Kinesiske laserprodusenter er de første som oppnådde 12- tommers silisiumkarbidsubstratlaserstripping

Nylig har kinesiske laserprodusenter med hell implementert en 12- tommers silisiumkarbidsubstratlaserstripende automatiseringsløsning, noe som sterkt reduserte tap, økt prosesseringshastighet og fremmet kostnadsreduksjon og effektivitetsforbedring i silisiumkarbidindustrien.

Tidligere har kinesiske laserprodusenter tatt ledelsen med å lansere "8- tommers ledende silisiumkarbidsubstratlaserstrippingsutstyr", og vunnet anerkjennelse av "det første innenlandske utstyret" i januar i år.

 

news-750-425

Sammenlignet med tradisjonelle silisiummaterialer, har silisiumkarbid et bredere båndgap, høyere smeltepunkt, høyere elektronmobilitet og høyere termisk ledningsevne. Det kan fungere stabilt under høye temperaturer og høyspenningsforhold. Det har blitt et sentralt materiale for oppgradering av nye energi- og halvlederindustrier, og har fremmet teknologiske revolusjoner i elektriske kjøretøyer, fotovoltaisk kraftproduksjon, smarte nett, trådløs kommunikasjon og andre felt.

 

Imidlertid er andelen av substratmaterialkostnader i de totale kostnadene høye, noe som alvorlig hindrer den store industrialiseringen og promotering av silisiumkarbidenheter. En av de viktige måtene å redusere kostnadene og øke effektiviteten er å produsere større silisiumkarbidsubstratmaterialer. Sammenlignet med 6- tomme og 8- tommers underlag, kan 12- tommers substratmaterialer ytterligere utvide området som er tilgjengelig for brikkeproduksjon på en enkelt skive, øker produksjonen betydelig og reduserer enhetskostnadene under de samme produksjonsforholdene.

 

I desember 2024 har innenlandske silisiumkarbidledende foretak avslørt den siste generasjonen av 12- tommers silisiumkarbidsubstrater. Mens de ledet den internasjonale utviklingstrenden, fremmet de også etterspørselen etter skiver av ultra-store størrelse silisiumkarbidsubstrater over 12 tommer.

news-750-424

Tilsvarende har kinesiske laserprodusenter lansert den "ultra-store størrelse silisiumkarbidsubstratlaserstrippeteknologien" med den raskeste hastigheten, og tar ledelsen i å løse "skiver" -problemet med 12- tommer og større silisiumkarbidunderlag.

 

Denne teknologien kan oppnå presis posisjonering, ensartet prosessering og kontinuerlig stripping av silisiumkarbidinngaver. Dens enestående fordeler er:

  • Automasjon- Automatisering av Ingot -tynning, laserbehandling, stripping av underlag og andre prosesser er blitt realisert. Hver prosess kan betjenes parallelt, og produksjonslinjen kan distribueres fleksibelt.
  • Lavt tap- Ingen vesentlig tap under laserstripingsprosessen. Bare omtrent 80-100 μm materiale må fjernes fra de øvre og nedre overflater i den påfølgende tynningsprosessen. Sammenlignet med tradisjonell skjæringsteknologi reduseres tapet av råvarer kraftig.
  • Høy effektivitet-Substratproduksjonstiden forkortes sterkt, noe som akselererer forsknings- og utviklings iterasjonen av ultra-stor størrelse silisiumkarbidsubstratteknologi. Det kan også brukes til storskala masseproduksjon av silisiumkarbidsubstrater i stor størrelse i fremtiden, noe som fremmer kostnadsreduksjon og effektivitetsforbedring i industrien.

 

Som en typisk teknologikrevende industri har halvledermaterialindustrien blitt plaget av mangelen på high-end teknologi og talenter, og årene med utenlandsk teknologiblokkade har hindret den raske utviklingen av industrien. Grunnlaget for China Laser -produsenten kom fra Nanophotonics and Instrument Technology Laboratory ved West Lake University. Teamet har vært dypt engasjert innen mikro-nano optoelektronikk i mange år, inkludert mikro-nano prosesseringsteknologi og instrumentutstyr, mikro-nano fotonteori og optoelektroniske enheter, viktige teorier og teknologier for intelligente applikasjoner, etc., og gir sterk innovasjonsstøtte og tekniske reservater for Kina-laserprodusenter.

 

I følge Yoles prognose, innen 2027, vil den globale markedsstørrelsen til Silicon Carbide Power Devices nå 6,7 milliarder dollar, med en sammensatt årlig vekstrate på 33,5%, og bli et kjernemateriale innen ny energi og halvledere. De varme AR -glassene bruker også "silisiumkarbid" som linsemateriale for å fullføre ytelsesovergangen. Det forventes at den globale AR Glasses markedsstørrelse vil overstige 300 milliarder dollar i 2030, og bli en annen "New Blue Ocean" for anvendelse av silisiumkarbidmaterialer. Det antas at med kontinuerlig fremgang av produksjonsprosesser og kontinuerlig utvidelse av påføringsfelt, vil silisiumkarbidenheter til slutt skinne i halvleder og optiske felt.

 

MRJ-Laser er et profesjonelt instrument- og utstyrsselskap som integrerer FoU, produksjon og salg. Den er posisjonert for å løse smertepunktene i den avanserte produksjonsindustrien, anvende kjerneteknologien til mikro-nano optoelektronisk informasjon og gi presisjonsbehandlingskarakteriseringsinstrumenter og utstyr. Med oppdraget med å hjelpe hvert teknologisk gjennombrudd, fortsetter det å fremme utviklingen av innovative teknologier i optoelektronikkindustrien.

 

MRJ-Laser har anvendt ultrafast laserbehandlingsteknologi på silisiumkarbidsubstratprosesseringsindustrien, fullført utviklingen av silisiumkarbidsubstratlaserstripende utstyr og integrerte systemer, og oppnådd anvendelse av silisiumkarbidsubstratledende bedrifter. Produktet er sertifisert som det første utstyret i Kina. Den relevante teknologien har også lovende anvendelsespotensial i behandlingen av nye underlagsmaterialer som galliumnitrid og diamant.

Sende bookingforespørsel

whatsapp

Telefon

E-post

Forespørsel